日本晶圆设备制造商DISCO于2023年12月推出全新的SiC(碳化硅)切割设备,可将碳化硅晶圆的切割速度提高10倍,首批产品已交付客户。由于碳化硅的硬度仅次于金刚石和碳化硼,硬度是硅的1.8倍,因此切割难度较大。
此外,DISCO于15年前开发了一种设备,能够大大减少HBM高带宽内存工艺流程中的浪费。最近随着人工智能的兴起,这类设备销售激增。由于HBM生产所带来的成本高昂,存储芯片制造商往往将后段工艺流程外包,这一策略促进了对DISCO设备采购的需求。
据悉,DISCO在晶圆切割和研磨机领域占据70~80%市场占有率,公司市值在2023年增长三倍,并且研发支出创下了250亿日元(约合1.75亿美元)的新高。DISCO当前的重点是HBM和碳化硅晶圆切割设备。
2023年7月,DISCO宣布在日本熊本县建立一个“中间工艺研发中心”,按照DISCO的定义,中段制程包括对成品晶圆进行切割,这一过程对良率和生产效率十分重要,因此工艺流程中必须小心谨慎。
尽管美国和日本加强了半导体设备对中国出口管制,但DISCO在中国市场的收入暂时未受一定的影响。截至2022年3月,该公司约31%的收入来自中国,2023年7~9月增加至34%。
近两年,每当讨论半导体材料时,另一个话题“碳化硅”几乎同时出现。碳化硅热度可以说是一路狂飙,无疑成为了半导体领域的新宠。碳化硅是第三代半导体材料,与传统硅基材料相比,碳化硅具有禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越的物理性能,适合制作高温、高频率、高功率、高电压的大功率器件,能更好地适配电子通信、新能源等行业应用。显而易见,碳化硅取代硅基是大势所趋。